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제목 Advances In ENGINEERING 소개 자료
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조회수 1063 등록일시 2014-04-14 12:12
<Article Link>
http://advanceseng.com/nanotechnology-engineering/electrical-stability-enhancement-amorphous-ga-zn-o-thin-film-transistor-formation-au-nanoparticles-back-channel-surface
http://www.ajou.ac.kr/kr/ajou/news.jsp?mode=view&article_no=47801
<Paper Link>
http://dx.doi.org/10.1063/1.4795536


<About to Journal>
*Advances in Engineering (http://advanceseng.com/): 캐나다에서 2005년 부터 발간된 주간 공학 기술 소개 online 잡지로써  재료,나노,화공,기계,토목, 응용물리 분야등 주요 공학 분야에서 공학적 파급효과가 큰 논문 및 특허를 유수 저널 및 특허 데이터 베이스에서 검색하여 채택/소개하며 우수 기술의 발명자-수요자간의 link 및 forum 확충을 mission으로 함. 매월 525,000번 정도 viewed 되며 공학관련 top 회사와 학교의 intranet에 소개됨.

<기사 요약>

신소재공학과 서형탁 교수 연구결과 해외 공학기술잡지인 Advances in Engineering*에 Nanotechnology 분야 Key Article로 소개.
디스플레이에 적용을 위해 연구 중인 비정질 In-Ga-Zn-O 채널 기반의 박막 트랜지스터에 수 nm 지름의 금 나노입자를 이용하여 소자의 성능 및 신뢰성을 크게 향상 시킨 기술임.
  [배경]
  In-Ga-Zn-O 소재는 2004년 일본 호소노 교수 연구그룹에서 발견된 혁신적인 비정질 투명 반도체 물질로써  비정질 반도체의 낮은 전하 이동도를 혁신적으로 증가시켰음 (약 100배 이상).  특히 이 소재는 상온 증착이 가능하여 일본/한국 등의 디스플레이 업체 간에 In-Ga-Zn-O 트랜지스터를 이용한 차세대 디스플레이 개발 경쟁이 매우 치열함. 그러나, 이 소재의 치명적 단점으로써 수분 화학적 안정성 및 광스트레스 안정성이 기존의 Si 계열 소재에 낮으며 양산 공정 적용을 위해 해결해야 하는주요 문제 중 하나임.
  [내용]
  본 연구팀은 금 나노입자를 표면에 균일 분산 증착하는 기술을 개발하여  In-Ga-Zn-O 트랜지스터의 광화학 안정성 및 성능을 획기적으로 개선하는 연구결과를 미국 응용물리학회지 (Applied Physics Letters)에 발표하였으며 이 결과의 공학적 우수성으로 Advances in Engineering에 Nanotechnology 분야 Key Article로 소개됨. 본 기술은 삼성디스플레이 연구진과 공동으로 개발하였으며 삼성디스플레이에서 양산적용을 위한 평가가 진행 중임.


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