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| 특허명 |
저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
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| 발명자 |
박정영, 권상구, 서형탁, 전기준 |
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| 특허구분 |
출원(국내) |
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| 특허(출원)번호 |
10-2013-0010009, 2013-01-29 |
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| 특허일 |
2013.01.29 |
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| 첨부파일 |
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“
저항 변화 메모리 소자 및 그 제조방법 (Resistance Random Access Memory Device and Method for Manufacturing the Same)”,
박정영, 권상구, 서형탁, 전기준,
대한민국 특허 출원, 출원번호: 10-2013-0010009, 2013-01-29. |
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