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특허명 강유전성 로직인메모리 터널링 소자 및 강유전성 로직인메모리 터널링 소자 제조방법
발명자 서형탁, Kumar Mohit
특허구분 출원(국내)
특허(출원)번호 10-2023-0063958 (SA-2023-0110)
특허일 2023.05.17
첨부파일
사사과제: PIM, 중견(서형탁)

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