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특허명 강유전성 로직인메모리 터널링 소자 및 강유전성 로직인메모리 터널링 소자 제조 방법
발명자 서형탁, Kumar Mohit
특허구분 출원(PCT)
특허(출원)번호 PCT/KR2024/001676 (SA20240009)
특허일 2024.02.08
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