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특허명 높은 유전상수 및 낮은 누설전류를 갖는 스트론튬 티타네이트 기반 유전막의 제조방법 및 상기 스트론튬 티타네이트 기반 유전막을 구비하는 커패시터의 제조방법
발명자 서형탁, 백지예
특허구분 출원(국내)
특허(출원)번호 10-2019-0097931
특허일 2019.08.12
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